北京時間03月31日消息，中國觸摸屏網(wǎng)訊，安徽省2021年重點項目投資計劃公布：維信諾、晶合、露笑半導(dǎo)體等項目入選
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近日，安徽省人民政府公布了2021年重點項目投資計劃。
以下是顯示面板產(chǎn)業(yè)鏈簡單羅列：
第六代柔性有源矩陣有機發(fā)光顯示器件 (AMOLED)生產(chǎn)線項目：總投資440億元，總建筑面積63.5萬平方米，建設(shè)工藝生產(chǎn)廠房、配套辦公樓、配套倒班宿舍、動力廠房 、大宗氣站等生產(chǎn)生活配套建筑物及構(gòu)筑物，建設(shè)一條第6代柔性有源矩陣有機發(fā)光顯示器件（AMOLED）生產(chǎn)線，項目建成后將形成年產(chǎn)屏體2800萬片的生產(chǎn)能力（正在安裝設(shè)備，產(chǎn)品已點亮）。
12吋晶圓驅(qū)動芯片制造項目：總投資128.1億元，總建筑面積20.1萬平方米，建設(shè)生產(chǎn)廠房、綜合樓、化學(xué)品庫、倉庫、廢水處理站生產(chǎn)線，形成年產(chǎn)150納米LCD驅(qū)動IC3.5萬片、 90納米小尺寸驅(qū)動IC0.5萬片的生產(chǎn)能力（持續(xù)穩(wěn)步提升產(chǎn)能，目前3萬片產(chǎn)能）。
TFT-LCD背光源及光學(xué)材料生產(chǎn)項目：總投資36億元，總建筑面積16萬平方米，建設(shè)車間、倉庫及輔助設(shè)施，形成年產(chǎn)RTP偏光片2400萬片、POL偏光片7200萬片、導(dǎo)光板600萬片、導(dǎo)光板熱壓4680萬片、背光模組6000萬片的生產(chǎn)能力（中試廠房正在辦理前期報批手續(xù)）。
集成電路產(chǎn)業(yè)鏈配套項目：總投資30.7億元，項目主要從事集成電路封測以及模組組裝業(yè) 務(wù)，達(dá)產(chǎn)后將形成月產(chǎn)能12萬片的DRAM及 1600萬顆4DNAND封測能力（基礎(chǔ)施工）。
晶圓凸塊封裝測試基地項目：總投資24億元，總建筑面積3萬平方米，月產(chǎn)3萬片12吋晶圓 、5萬片8吋晶圓。其中：一期月產(chǎn)1.2萬片12吋晶圓及3萬片8吋晶圓（基礎(chǔ)施工）。
第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅) 產(chǎn)業(yè)園項目：總投資21億元，總建筑面積8萬平方米，主要建設(shè)廠房、輔助用房，購置晶體生長爐、原料合成爐測試設(shè)備、超凈室、研發(fā)設(shè)備等先進(jìn)設(shè)備（基礎(chǔ)工程建設(shè)）。
三利譜TFT偏光片生產(chǎn)：總投資20億元，總建筑面積18萬平方米，建設(shè)寬幅TFT型偏光片生產(chǎn)線6條，形成年產(chǎn)8000萬平方米偏光片的生產(chǎn)能力（一期已竣工投產(chǎn)并完成驗收，產(chǎn)能爬坡）。
G8.5液晶基板玻璃生產(chǎn)線建設(shè)項目：總投資20億元，總建筑面積8.8萬平方米，共建設(shè)兩條熱端和一條后加工生產(chǎn)線。其中一期新建1條熱端和1條冷端玻璃基板生產(chǎn)線；二期新建一條熱端產(chǎn)線，形成年產(chǎn)120萬片玻璃基板生產(chǎn)能力（第一階段的1條G8.5熱端和1條冷端生產(chǎn)線基本建設(shè)完成，第二階段建設(shè)的第2條熱端生產(chǎn)線，已于2020年11月啟動）。
第六代線用柔性AMOLED新技術(shù)開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目：總投資15.98億元，新增研發(fā)及生產(chǎn)設(shè)備28臺套，研發(fā)窄邊框、低功耗等技術(shù)，并產(chǎn)業(yè)化（陸續(xù)購置設(shè)備并安裝、調(diào)試，全面屏、 低功耗等新技術(shù)持續(xù)研發(fā)中）。
ITO靶材及其它薄膜材料研發(fā)及生產(chǎn)基地項目：總投資15億元，總建筑面積8萬平方米，建設(shè)廠房4棟，2F 辦公綜合樓1棟，門衛(wèi)室1間，并配套建設(shè)消防、環(huán)保、道路、供配電、給排水等輔助設(shè)施，項目建成后將形成年產(chǎn)800噸ITO靶材 、750噸太陽能靶材和1478.4噸其它種類薄膜材料的生產(chǎn)能力（主體工程已結(jié)束，正在進(jìn)行設(shè)備購置及安裝）。
顯示驅(qū)動芯片COF卷帶生產(chǎn)項目：總投資12.7億元，總建筑面積6萬平方米，建設(shè)主樓、廠房、動力站、化學(xué)品庫及倉庫，建設(shè)3條中國大陸最大的半導(dǎo)體顯示芯片封裝COF卷帶生產(chǎn)線，形成月加工70KK卷帶的生產(chǎn)能力（一期已進(jìn)行工程品研發(fā)生產(chǎn)及訂單量產(chǎn)， 二期部分設(shè)備正在裝機調(diào)試）。
年產(chǎn)360萬片再生晶圓項目：總投資3.2億元，項目總建筑面積4萬平方米，建設(shè)晶圓再生廠房、零部件清洗廠房，配套廠務(wù)系統(tǒng)車間、辦公樓、倉庫等輔助、公用工程，項目建成后將形成每年120萬片晶圓再生的能力（主體工程結(jié)束，部分設(shè)備進(jìn)場安裝）。
京東方MiniLED(合肥)生產(chǎn)線項目：總投資4.33億元，租賃合肥鑫晟光電科技有限公司廠房電子廠房，新建一條MiniLED背光及顯示產(chǎn)品生產(chǎn)線，包括新購回流焊、固晶機等生產(chǎn)設(shè)備、升級CIM等軟件系統(tǒng)并對廠房原有部分動力、環(huán)保、管道系統(tǒng)進(jìn)行改造。項目建成后年產(chǎn)約52.8萬片MiniLED背光及顯示產(chǎn)品（正在計劃進(jìn)行設(shè)備采購）。
高精密半導(dǎo)體引線框架及AMOLED蒸鍍用高精度金屬掩模板(一期) 項目：總投資3.7億元，總建筑面積3.2萬平方米，計劃建設(shè)辦公樓 、科研、廠房、庫房等相關(guān)配套設(shè)施；引進(jìn)電鍍生產(chǎn)線17條、蝕刻生產(chǎn)線10條；項目建成后可形成年產(chǎn)蝕刻型引線框架1億條，沖壓引線框架3000萬條，高精度金屬掩膜700萬件（正在進(jìn)行前期報建手續(xù)）。
第6代觸摸屏生產(chǎn)線MiniLED背光背板項目：總投資2.4億元，利用合肥鑫晟光電科技有限公司廠房電子廠房，依托Sensor段現(xiàn)有產(chǎn)線，改建MiniLED 背光背板產(chǎn)品的智能化產(chǎn)線。包括新購干法 刻蝕、電化學(xué)沉積等生產(chǎn)設(shè)備，升級CIM等 軟件系統(tǒng)并對廠房原有部分動力、環(huán)保、管道系統(tǒng)進(jìn)行改造。項目建成后年產(chǎn)約18萬片 MiniLED背光及顯示產(chǎn)品（目前正在準(zhǔn)備相關(guān)設(shè)備采購）。
MEMS微系統(tǒng)集成工程建設(shè)項目：總投資10億元，總建筑面積1萬平方米，廠房改造，新增購 置200余臺套，建設(shè)提升原有產(chǎn)線的產(chǎn)能， 形成年產(chǎn)5萬片晶圓、4億顆芯片的生產(chǎn)能力（開展前期工作）。
安徽浚潁光電有限公司新型顯示技術(shù) OLED高精密金屬掩模板研發(fā)制造及配套服務(wù)項目：總投資5億元，購置安裝OLED高精密金屬掩模板生產(chǎn)線5條、配套清洗再生生產(chǎn)線15條；配套建設(shè)供 配電、安全生產(chǎn)、環(huán)保等設(shè)施（廠房基礎(chǔ)施工）。
年產(chǎn)2噸OLED材料項目：總投資1億元，主要建設(shè)1000平方米無塵室，內(nèi)設(shè)萬級無塵室、千級無塵室、百級無塵室、生產(chǎn)場地、檢測室、蒸鍍室等，引進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備40臺與檢測設(shè)備23臺，建成后可形成年產(chǎn)2噸OLED材料生產(chǎn)能力（廠房適應(yīng)性改造）。
集成電路及電子元件封裝測試項目：總投資1億元，總建筑面積2.4萬平方米，設(shè)計年產(chǎn)集成電路及電子元件封裝測試產(chǎn)品5億只（基礎(chǔ)開挖已完成）
半導(dǎo)體封測邊框生產(chǎn)項目：總投資25億元，建筑面積25萬平方米，新建半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)線18條，購置關(guān)鍵設(shè)備2500臺，建設(shè)半導(dǎo)體封測邊框生產(chǎn)基地（辦理能評手續(xù)）。
順芯第三代化合物半導(dǎo)體中段制程晶圓超薄化與封測產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)基地項目：總投資20億元，總建筑面積8萬平方米，第一期實現(xiàn)年產(chǎn)84萬片的晶圓薄化與金屬化生產(chǎn)能力，第二期實現(xiàn)年產(chǎn)168萬片的晶圓薄化與金屬化生產(chǎn)能力以及100萬片的芯片封裝測試生產(chǎn)能力（已完成項目備案，正在進(jìn)行規(guī)劃選址）。
深德彩科技華 東總部生產(chǎn)基地項目：總投資10億元，建筑面積約5.2萬平方米，購置關(guān)鍵設(shè)備500 臺，新建封裝DCOB的Mini、MicroLED生產(chǎn)線10條，年產(chǎn)LED顯示屏3.6萬平方米（加快辦理用地手續(xù)）。
AMOLED柔性顯示觸控模組與5G智能終端研發(fā)制造基地：總投資135億元，總建筑面積41.7萬平方米，利用現(xiàn)有的10萬平方米廠房，同步新建觸控顯示模組（包括柔性AMOLED顯示模組產(chǎn)品）以及傳感器和5G天線等產(chǎn)品生產(chǎn)基地，形成月產(chǎn)45.5KK模組及其關(guān)鍵配套部件的生產(chǎn)能力（一期試生產(chǎn)； 二期基礎(chǔ)施工中）。
12英寸硅基OLED微顯示模組項目及配套集成電路芯片制造項目：總投資100億元，總建筑面積13.8萬平方米，主要建設(shè)集成電路芯片及微顯示屏生產(chǎn)廠房、模組廠房、綜合樓、研發(fā)樓等，建設(shè)集成電路設(shè)計（ICD）、集成設(shè)計制造（IDM）、MircoOLED微顯示屏及顯示模組制造全產(chǎn)業(yè)鏈，建設(shè)三條配套齊全的12英寸（65nm集成電路）硅基OLED微顯示器生產(chǎn)線（項目已簽約）。
安徽微芯SiC單晶襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目：總投資13.5億元，建筑面積3.2萬平米，新建廠房包括碳化硅晶體生長車間、碳化硅晶圓片加工車間等，購置主要研發(fā)設(shè)備、檢測設(shè)備和其他輔助設(shè)備共576臺（套），年產(chǎn)碳化硅晶圓片4英寸 (直徑100mm)3萬片、6英寸(直徑150mm)12萬片（公司注冊、項目備案完成，規(guī)劃選址通過）。
年產(chǎn)50億只集成電路及8億顆功率器件及模組項目：總投資5.12億元，一期租賃廠房1.6萬平方米，購置生產(chǎn)線，二期建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房4.5萬平方米，年產(chǎn)50 億只集成電路及8億顆功率器件及模組（一期租賃廠房投產(chǎn)）。
年產(chǎn)2000萬件電子元器件配件項目：總投資1.05億元，總建筑面積1.3萬平方米，購置注塑機、超聲波焊接機、自動裁線機、端子機等相關(guān)先進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備51臺(套），形成年產(chǎn)2000萬件電子元器件及配件的生產(chǎn)能力。
年產(chǎn)100億只高可靠性集成電路芯片先進(jìn)封裝測試產(chǎn)業(yè)化項目：總投資5億元，總建筑面積2.62萬平方米，購置晶圓粘片機、金線鍵合機等設(shè)備，形成年產(chǎn)100億只高可靠性集成電路芯片的生產(chǎn)能力。目前華宇封測產(chǎn)業(yè)園1#廠房已完成封頂，已進(jìn)入第二次裝修階段。
高端功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)制造項目：總投資2.23億元，購買廠房，購置擴散爐、自動刻蝕機、自動涂布機等研發(fā)制造設(shè)備約600臺套，建設(shè)兩條全自動化生產(chǎn)線，年產(chǎn)360萬片5英寸高端功率半導(dǎo)體芯片。
泓冠光電LED半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)項目：總投資5.1億元，建設(shè)廠房及辦公樓建筑面積1.8萬平方米，購置固晶設(shè)備、焊線機、壓膜機等生產(chǎn)設(shè)備。
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